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環(huán)保清洗IGBT案例-合明科技-半導(dǎo)體封裝清洗-中性水基清洗劑 

環(huán)保清洗IGBT案例-合明科技-半導(dǎo)體封裝清洗-中性水基清洗劑

合明科技專注精密電子清洗技術(shù)20多年，是SMT貼裝/DIP封裝，功率半導(dǎo)體器件及芯片封裝精密清洗工藝技術(shù)方案、產(chǎn)品、清洗設(shè)備提供商。精密電子清洗除焊后助焊劑、錫膏、焊膏、球焊膏、焊錫膏、錫渣等殘留物。水基系列產(chǎn)品，精細(xì)化對(duì)應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封測(cè)到PCBA組件終端，包括有水基和半水基清洗劑，堿性和中性的水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳. 封裝包括倒裝芯片、WLCSP晶圓級(jí)芯片封裝、3D IC集成電路封裝、SiP系統(tǒng)級(jí)封裝、細(xì)間距封裝等等。
頻率的選擇

現(xiàn)今電子產(chǎn)品清洗追求清洗過程中生產(chǎn)**、表面無損傷、節(jié)省溶劑、工作場(chǎng)地和人工成本；超聲波清洗就有清洗速度、工效高，大大降低清洗作業(yè)的人力勞動(dòng)強(qiáng)度的特點(diǎn)，特別是大批量的小制件(或元器件)，尤其適用于超聲波清洗，超聲波清洗機(jī)的應(yīng)用便于清洗工藝的實(shí)施及工藝過程的連續(xù)自動(dòng)化，設(shè)備體積小，重量輕，功率可調(diào)，且可頻率跟蹤，操作靈活方面等優(yōu)點(diǎn)已被廣泛應(yīng)用。但針對(duì)超聲波清洗過程中的變量該如何選擇和控制呢?
清洗干凈度的評(píng)價(jià)和評(píng)估。往往采取兩個(gè)方式。一，裸眼經(jīng)40~100倍的顯微放大觀察清洗物表面殘余物的狀況，以見不到殘余物為評(píng)判依據(jù)。二，使用表面離子污染度檢測(cè)方式對(duì)被清洗物表面進(jìn)行檢測(cè)，以檢測(cè)的數(shù)據(jù)比照技術(shù)指標(biāo)要求評(píng)價(jià)。在實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用中，特別關(guān)注低托高，micro gap。
比如說在器件底部，包括Chip件、QFN底部，芯片或者是倒裝芯片底部殘留物的去除狀況。往往當(dāng)這些底部的殘余物能夠有效去除，那么其他部位的殘余物也應(yīng)可以評(píng)判為去除。QFM和芯片底部必須采用機(jī)械方式打開，觀測(cè)底部殘留物的狀況來評(píng)判干凈度，為了達(dá)到Micro gap的托高底部的殘留物清除，清洗劑物理化學(xué)特性（比方說表面張力）和清洗設(shè)備噴淋的角度、壓力、方向以及噴淋的時(shí)間溫度都對(duì)底部清除污垢有很大的影響度。

功率的選擇
  根據(jù)清洗的產(chǎn)品不同*聲清洗效果不一定與功率的大小成正比，一般情況下功率大，清洗過程中空化強(qiáng)度將大大增加，清洗效果是提高了，但這時(shí)會(huì)使較精密的元器件也產(chǎn)生其他影響。但使用小功率，花很長(zhǎng)時(shí)間也沒有清除污垢。如果功率達(dá)到一定數(shù)值，有時(shí)很便將污垢去除，因此要按具體產(chǎn)品情況以及機(jī)器槽體的大小來選擇合適的*聲功率。

清洗劑和漂洗水的泡沫。因?yàn)榍逑磩┖推�洗水在噴淋機(jī)中處在高溫高壓下運(yùn)行，非常容易產(chǎn)生泡沫，泡沫過多影響機(jī)器的正常運(yùn)行和狀態(tài)觀察。
所以，清洗劑的泡沫允許在一定范圍而保證清洗機(jī)噴淋壓力穩(wěn)定，如果泡沫過多或者難以消除，清洗劑中含著的氣泡和空氣，會(huì)降低清洗噴淋壓力，影響清洗效果。漂洗水的泡沫也值得關(guān)注，同樣的道理，只要泡沫能夠有效的排除，不影響清洗劑的工作狀態(tài)和設(shè)備運(yùn)行的觀測(cè)。

目前使用的免清洗或低殘留助焊劑的技術(shù)消除了清洗環(huán)節(jié)。然而，使用免清洗助焊劑需要潔凈的工作環(huán)境和一種習(xí)慣的改變，不僅會(huì)影響用戶，而且會(huì)影響到其供應(yīng)商。此外，使用免清洗助焊劑可能需要受控的焊接環(huán)境，以提供與其較低活性兼容的工藝窗口。
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