短脈沖0.1微秒赫茲砷化鎵半導(dǎo)體光電開關(guān)
概述：短脈沖0.1微秒赫茲砷化鎵半導(dǎo)體光電開關(guān)
短脈沖 0.1微秒 赫茲 砷化鎵 半導(dǎo)體 光電開關(guān)
產(chǎn)品描述：通過誘導(dǎo)電導(dǎo)率控制，即利用半導(dǎo)體的光導(dǎo)性，使光照射時電導(dǎo)率增加。
工作原理：常用的半導(dǎo)體材料
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短脈沖0.1微秒赫茲砷化鎵半導(dǎo)體光電開關(guān)
產(chǎn)品描述：通過誘導(dǎo)電導(dǎo)率控制，即利用半導(dǎo)體的光導(dǎo)性，使光照射時電導(dǎo)率增加。
工作原理：常用的半導(dǎo)體材料有摻鉻低溫生長的的砷化鎵，為了降低開關(guān)的恢復(fù)時間，達到高轉(zhuǎn)換效率，需要低溫下生長材料，然后快速淬滅。
用途：測試高速集成電子回路，產(chǎn)生太赫茲脈沖，將DC轉(zhuǎn)化成RF，得到連續(xù)波和脈沖模式等
光電開關(guān)接線實物圖：電流輸出和電流輸出
CC：陳經(jīng)理壹叁玖捌玖貳柒叁陸叁零
(One Three Nine Eight Nine Two Seven Three Six Three Zero)，企鵝：（Three Nine Seven six one two seven two five)叁玖柒陸壹貳柒貳伍
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產(chǎn)品描述：通過誘導(dǎo)電導(dǎo)率控制，即利用半導(dǎo)體的光導(dǎo)性，使光照射時電導(dǎo)率增加。
工作原理：常用的半導(dǎo)體材料有摻鉻低溫生長的的砷化鎵，為了降低開關(guān)的恢復(fù)時間，達到高轉(zhuǎn)換效率，需要低溫下生長材料，然后快速淬滅。
用途：測試高速集成電子回路，產(chǎn)生太赫茲脈沖，將DC轉(zhuǎn)化成RF，得到連續(xù)波和脈沖模式等
光電開關(guān)接線實物圖：電流輸出和電流輸出
具體參數(shù)：
|
類型 |
光電開關(guān) |
反映時間 |
0.05s |
|
檢測距離 |
30m |
壽命 |
20萬h |
|
工作電流 |
8A |
反復(fù)插拔 |
100萬 |
|
工作電壓 |
2-40V |
輸出形式 |
常開+常閉 |
|
產(chǎn)品認(rèn)證 |
CE |
檢測形式 |
對射式 |
|
面板材質(zhì) |
LSZH阻燃 |
特點 |
抗震防腐蝕耐磨損 |
|
顏色 |
玫瑰金 |
輸出功率 |
2400w |
|
產(chǎn)品凈重 |
300g |
品牌 |
OPTICOMBINE |
(One Three Nine Eight Nine Two Seven Three Six Three Zero)，企鵝：（Three Nine Seven six one two seven two five)叁玖柒陸壹貳柒貳伍
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