頂立科技立式化學氣相沉積爐（沉積炭）
概述：立式化學氣相沉積爐（沉積炭）可用于以碳氫氣體（如C3H8等）為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理
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立式化學氣相沉積爐（沉積炭）技術特征
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根據爐膛尺寸與結構設置溫區，溫度均勻性好;
采用特殊結構沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
對炭沉積過程中產生的焦油、固體粉塵、有機氣體等能進行有效的處理
立式化學氣相沉積爐（沉積炭）產品規格
| 參數\型號 | VCVD-0305-C | VCVD-0608-C | VCVD-0812-C | VCVD-1015-C | VCVD-1120-C | VCVD-1520-C | HCVD-151530-C |
| 工作區尺寸D×H（mm） | Φ300×500 | Φ600×800 | Φ800×1200 | Φ1000×1500 | Φ1500×2000 | Φ1500×2000 | Φ2600×3200 |
| 最高溫度（℃） | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| 溫度均勻性（℃） | ±5 | ±5 | ±7.5 | ±7.5 | ±10 | ±10 | ±15 |
| 極限真空度（Pa） | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| 壓升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
以上參數可根據工藝要求進行調整，不作為驗收依據，具體以技術方案和協議為準。
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