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所有分類下結果三菱IGBT模塊CM1000DUC-34SA CM1400DUC-24S CM900DUC-24S
[中介]第6代CSTBTTM硅片技術帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
宏微IGBT模塊 MMG300D060B6N MMG200S060B6N MMG100S060B6N
[中介]MMG100S060B6N 2個單元，100A/600V ,34mm寬
MMG150S060B6N 2個單元，150A/600V ,34mm寬
MMG200S060B6N 2個單元，200A/600V ,34mm寬
MMG200D060B6EN 2個單元，200A/600V ,62
[全國 整流器/整流設備] 福建/泉州 福建省泉州市
富士IGBT模塊2MBI150VA-060 2MBI600VE-060 2MBI100VA-170
[中介]V系列 高速，低導通壓降Tj=175℃ 電流在IC：80℃標稱，用于變頻器
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富士IGBT模塊2MBI150U4A-120 2MBI150U4H-120 6MBI150U4B-170
[中介]6MBI100U4B-170 6單元，100A/1700V
6MBI150U4B-170 6單元，150A/1700V
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富士IGBT模塊2MBI200S-120 2MBI100PC-140 2MBI300P-140
[中介]1MBI300S-120 1單元，300A/1200V
1MBI400S-120 1單元，400A/1200V
2MBI75P-140 2單元，75A/1400V
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三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技
[中介]采用CSTBTTM硅片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區，杰出的短路魯棒性 最優的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環能力（DTc）內部硅片分布均勻，Rth(j-
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三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯使用額定電流定義比市場上同類產品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調整底板和
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三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
[中介]最新的CSTBTTM硅片技術帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
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西門康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
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產 品 型 號 參 數 說 明
SKM145GAL176D 1單元，140A/1700V
SKM200GB176D 2單元，200A/1700V
SKM200GAL176D 1單元，200A/1700V
SKM400GAL176D 1單元，400A
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西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
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